芯片类型    N沟道 + P沟道 互补型MOSFET
封装形式    TO-252-4L (4引脚) 
漏源电压(Vdss)    N沟道: 40V / P沟道: -40V
连续漏极电流(Id)    N沟道: 30A / P沟道: 20A 
脉冲漏极电流    N沟道: 120A / P沟道: 80A
栅源电压(Vgs)    ±20V